2Т3117А
2Т3117А

2Т3117А

155 руб.

2Т3117А
Транзисторы 2Т3117А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,4 г.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: аА0.339.256 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т3117А:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА (60В);
h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40…200;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом